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真空チャンバー炉, グラファイト材断熱 - HTK GR

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グラファイト炉 HTK GRは低/高真空、窒素やアルゴンといった保護ガス、水素や一酸化炭素のような反応性ガスを使用することが出来ます。グラファイト炉 HTK GRはグラファイト製断熱材のため酸素雰囲気下で使用することは出来ません。 

前面ドア付きの長方形チャンバ設計により、サンプルのロード、アンロードが容易です。HTK GRは6容量から選択できます。最小サイズの8L、中容量の25Lは研究室やR&Dに最適です。80L、220L、400L、600Lのタイプはパイロットプラント用、または生産用システムとして使用できます。

HTK GRはグラファイト製断熱材とグラファイト製ヒーティングエレメントで構成されています。最高温度2200℃のHTK GRは超高温の熱処理に最適です。ご要望により、ガスフローを制御し、温度均一性を±10℃以下に向上させるために、グラファイト製のレトルトを装備することもできます。多量のガスが発生するプロセスの場合、レトルトは発生したガスからヒーティングエレメントを保護することで炉の寿命を延ばす効果があります。

アプリケーション例

シリコン処理, テクニカルセラミックス, 焼結, 熱分解, 黒鉛化

商品動画: 真空チャンバー炉, グラファイト材断熱 - HTK GR

標準仕様

グラファイト炉は製品中で最も高温の温度を実現可能です。

必要に応じて水素分圧運転も可能です。

粉体加熱の為に真空ポンプの排気速度を正確に制御できます。

品質管理用データ記録

真空チャンバー炉, グラファイト材断熱 - HTK GR 技術詳細


HTFグラファイト炉の内部構造

  1. フレーム
  2. 水冷容器
  3. 加熱カセット
  4. シーリング溝
  5. 前面ドア
  6. グラファイト製断熱材
温度均一性を向上されるため、ヒータはチャンバの上下と左右の4方向に設置されています。大容量タイプでは、優れた温度均一性を維持するため、ドアの裏側とチャンバの背面にもヒータが装備されます。HTK W、HTK MO、HTK GR、HTK KEは水冷容器に覆われており、故にHTKはコールドウォール炉に分類されます。冷却水は水冷容器のジャケット構造の内部を通過します。

ご要望により、HTK GR は最高3000℃で使用することもできます。3000℃で使用するため、計算された厚さの断熱材、発熱体の最適な配置、温度測定及び制御用のパイロメータで特別に設計されています。 パイロメータは、炉内の窓を介して光学的な方法で熱放射を直接測定し、炉に直接挿入されません。 

この計測原理は、十分な量の輻射が放出された時のみ機能し、400℃を超える温度の時に十分な輻射が発生します。低温時にはスライディング熱電対を用いて制御が行われます。 

グラファイトの蒸気が増加するために、3000℃で動作させる場合は常に不活性ガス下で行われます。加えて、高温時には炭素の蒸気圧が増加するため、グラファイトから不活性ガスに炭素蒸気が放出されます。炭素蒸気がサンプルに影響を及ぼす場合には、金属炉を使用する必要があります。

内部を見る of the HTK GR
内部を見る of the HTK GR

真空チャンバー炉, メタル材断熱 - HTK

HTK 8 GR/22-1G セミオートマチック ~2200℃まで
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HTK 25 GR/22-1G 自動で2200℃まで対応、オプションで熱分解パッケージあり
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HTK 400 GR/22
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